GB∕T 24576-2009 高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
本标准规定了用高分辨X射线衍射测量GaAs衬底上AIGaAs,外延层中Al含量的试验方法。本方法适用于在未掺杂GaAs衬底＜001＞方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定,使用本方法测量Al元素含量时,AIGaAs外延层厚度应大于300 nm。

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