GB∕T 24576-2009 高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
本标准规定了用高分辨X射线衍射测量GaAs衬底上AIGaAs,外延层中Al含量的试验方法。本方法适用于在未掺杂GaAs衬底<001>方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定,使用本方法测量Al元素含量时,AIGaAs外延层厚度应大于300 nm。
本文件为PDF文档. GB/T 24576-2009 高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法文件大小 752.61 KB
本文档关键词: 衍射 分辩 射线 测量 成分