您现在的位置:首页 > 标准库 >GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法

GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法

资料大小: 753.41 KB
文档格式: PDF文档
资料语言: 简体中文
发布日期: 2009-10-30
实施日期: 2010-06-01
标准状态: 现行有效

本地下载(0点)  备用下载(0点)

简介
GB∕T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
本标准适用于检测硅单晶中的电活性元素硼(B) 、磷(P) 、砷(As) 、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为(0.01×10^(-9)~5.O×10^(-9))a。每种杂质或掺杂剂的浓度可由比耳定律得到,并给出了对每个元素的校准因子。
  • 本文件为PDF文档. GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法文件大小 753.41 KB