ASTM F616M-96(2003) 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)

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语言版本: 英文版
标准类别: 国外标准
关键词: 漏电   晶体管   氧化物   半导体   测试

标准简介

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适用范围:本文件提供了ASTM F616M-96(2003) 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)的快速检测方法与便携仪器应用规范,提升检测技术检测效率。

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