ASTM F996-98(2003) 利用次临界伏安特性测定由于氧化空穴和界面性能产生的电离辐射感生金属氧化物半导体场应晶体管临界电压偏移分量的试验方法

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标准类别：国外标准

关键词：偏移晶体管氧化物临界界面

标准简介

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适用范围：本标准对ASTM F996-98(2003) 利用次临界伏安特性测定由于氧化空穴和界面性能产生的电离辐射感生金属氧化物半导体场应晶体管临界电压偏移分量的试验方法的仲裁检验与能力验证作出了规定，为检测技术的质量保证提供依据。