部分耗尽0.8μm﹢SOI﹢CMOS工艺P＋源漏电阻实验设计

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资源类别： 电子
关键词： 漏电   耗尽   工艺   部分   0.8
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部分耗尽0.8μm﹢SOI﹢CMOS工艺P＋源漏电阻实验设计
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