基于HfO2栅介质的Ga2O3 MOSFET器件研制

文件格式： PDF文档
文件大小： 1.57 MB
资源类别： 电子
关键词： 器件   介质   基于   研制   HfO2
进入标准下载页面
本资源下载需 1 点

论文简介

基于HfO2栅介质的Ga2O3 MOSFET器件研制
相关推荐