不同栅压应力下1.8V pMOS热载流子退化机理研究

文件格式: PDF文档
文件大小: 861.6 KB
资源类别: 电子
关键词: 应力   退化   载流子   机理   不同
进入标准下载页面
本资源下载需 1

论文简介

不同栅压应力下1.8V pMOS热载流子退化机理研究
相关推荐