新材料研究系列丛书 太阳电池光吸收层铜基薄膜的制备技术研究
作者： 王延来 著
出版时间： 2019年版
内容简介
能源危机及环境污染日益严重，开发清洁的绿色能源现已成为人类面临的重大课题。太阳能取之不尽，用之不竭，是可再生的绿色能源之一。太阳能发电是国际公认的具发展潜力的新能源产业，各国都在全力发展太阳能光伏技术，将太阳能光电开发和利用作为一项可持续发展能源的重要战略。中国太阳能资源很丰富，政府对光伏产业发展高度重视，但太阳能电池仍无法实现大规模的民用，其根本原因是光电转化效率低和太阳能电池成本过高。
铜基薄膜太阳能电池是以铜基化合物作为光吸收层的薄膜电池，包括CuInSe2、CuInS2、Cu（ln，Ga）Se2、Cu2ZnSnS4及铜基中间带薄膜电池等，铜基薄膜材料为直接带隙半导体材料，光吸收系数高达10（5）cm-1，只需要1-2μm厚的薄膜就可以吸收大部分太阳光，适合作为薄膜电池的光吸收层。铜基薄膜电池性能稳定，抗辐射能力强，光电转化效率可达20%以上。高效率的铜基薄膜电池是采用真空技术制备的，制备成本较高，因此限制了它的广泛应用，所以研究和开发铜基薄膜的低成本制备技术是亟待解决的重要问题。
《太阳电池光吸收层铜基薄膜的制备技术研究》主要介绍了铜基薄膜的低成本制备技术，包括CuInSe2薄膜的电沉积制备技术，Cu（In，Ga）Se2、CuInS2、Cu2ZnSnS4以及Ti掺杂CuGaS2中间带薄膜材料的涂覆制备技术，还介绍了CriInS2薄膜的固态源硫化法制备技术。书中包含了国内外学者及著者个人的研究工作，对从事铜基薄膜电池器件研制、生产和使用的专业人员有一定的参考价值。
