采用MBE生长1．6—2．3 InGaAsSb／AIGaAsSb多量子阱

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资源类别： 综合论文
关键词： 生长   采用   多量   MBE   InGaAsSb
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采用MBE生长1．6—2．3 InGaAsSb／AIGaAsSb多量子阱
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