军用电子元器件领域科技发展报告
出版时间：2018年版
丛编项： 世界国防科技年度发展报告（2017）
内容简介
　　军用电子元器件在新军事变革与武器装备信息化、智能化发展中发挥着极为重要的作用，发达国家已将电子元器件视为重要战略资源，积极推动电子元器件技术特别是前沿技术的发展，以维持或加大武器装备技术的“代差”优势，掌握未来战争主动权。为帮助广大读者全面、深入地了解军用电子元器件技术发展的新动向，我们组织中国电子科技集团公司第十一研究所、第十二研究所、第十三研究所、第四十九研究所等专业研究所，以及中国科学院半导体研究所、中国工程物理研究院应用电子学研究所、中国兵器工业集团第二一一研究所、中国久远高新技术装备公司、全球能源互联网研究院、北京邮电大学等有关单位研究人员，共同编撰了《军用电子元器件领域科技发展报告》。
　　《军用电子元器件领域科技发展报告》由综合动向分析、重要专题分析、附录三部分构成。综合动向分析部分对2017年军用微电子、光电子、真空电子、传感器、电能源、抗辐照等重点领域器件与技术发展情况进行了分析和归纳；重要专题分析部分从元器件领域选取16个重点和热点问题进行了比较深入的分析和研究；附录对2017年军用电子元器件重点领域的重大或重要事件进行了简述。
目录
综合动向分析
2017年军用电子元器件领域科技发展综述
2017年微电子器件发展综述
2017年光电子器件发展综述
2017年电能源发展综述
2017年抗辐射加固器件发展综述
2017年微电子器件技术发展综述
2017年光电子器件技术发展综述
2017年电能源技术发展综述
2017年抗辐射加固器件技术发展综述
2017年真空电子器件与技术发展综述
2017年传感器器件与技术发展综述
重要专题分析
半导体金刚石材料和器件研究现状
石墨烯一硅光电子器件发展现状和前景
军用非制冷红外成像机芯组件发展现状与趋势
兆瓦级激光器研究进展与技术挑战
发展新一代真空电子器件
美国在功能芯片上实现计算与存储集成
美国定向自组装芯片图形化工艺突破10纳米
美国电子束光刻工艺达1纳米量级
世界首个集成硅光子学神经网络硬件诞生
单片量子点一石墨烯CMOS图像传感器实现宽波段成像
超表面结构开辟光波导模式转换新途径
MEMS红外光源有望实现更新换代
微纳光机电传感技术
DARPA启动“电子复兴”计划
DARPA“近零功率射频和传感器”项目研究进展
附录
2017年军用电子元器件领域科技发展大事记