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T/ZJATA 0017-2023 制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备

T/ZJATA 0017-2023 制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备

资料大小: 2.74 MB
文档格式: PDF文档
资料语言: 简体中文
资料类别: 团体标准
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更新日期: 2023-07-06
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推荐信息: 制备   沉积   化学   设备   碳化硅

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