T/CASAS 021-2025 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)阈值电压测试方法

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语言版本： 简体中文
标准类别： 团体标准
关键词： 晶体管   氧化物   半导体   电压   测试
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T/CASAS 021-2025 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)阈值电压测试方法

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适用范围：本文件提供了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)阈值电压测试方法的快速检测方法与便携仪器应用规范，提升检测技术检测效率。

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