4H-SiC外延晶片表面三角型缺陷形成机制及其优化工艺的研究

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资源类别: 电力
关键词: 晶片   三角   缺陷   及其   工艺
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4H-SiC外延晶片表面三角型缺陷形成机制及其优化工艺的研究
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