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T/CASAS 003-2018 p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片

T/CASAS 003-2018 p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片

资料大小: 1.31 MB
文档格式: PDF文档
资料语言: 简体中文
资料类别: 团体标准
更新日期: 2022-10-17
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推荐信息: 晶片   器件   沟道   碳化硅   外延

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